近日，SK hynix宣布为智能手机和作为PC存储设备的客户端SSD开发了解决方案产品，采用了238层NAND技术，并将在2023年5月进入大规模生产阶段。而这一业界最高238层4D NAND（类似Desk堆叠，实现单DIE更多层数堆叠）其传输速度可提高50%。

238层产品是目前尺寸最小的NAND，与上一代176层相比，其制造效率提高了34%，从而使成本竞争力得到明显改善。

据悉，新款产品的数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代产品提高了50%，读写速度也提高了约20%，该公司有信心为使用该技术的智能手机和PC客户提供更好的性能。

3D-NAND的层数堆叠，已经成为各大厂商竞相追逐的目标。目前主流厂商已经到了第6代工艺，Micron（美光）刚刚宣布完成232L 3D TLC NAND，读写性能都得到大幅提升，采用的是双堆栈技术。

值得提到的是，Micron（美光）和SK Hynix发布的200L+的NAND，采用的都是Charge Trap Flash(CTF)。目前市场上，也仅剩Solidigm还在坚持使用Floating Gate(FG)架构。一般说来，FG浮栅将电荷存储在导体中，而CTF将电荷存储于绝缘体中，这消除了单元之间的干扰，提高了读写性能，同时与浮栅技术相比减少了单元面积，并降低了成本。

国内厂商长江存储自研的Xtacking架构技术也到了3.0，据悉已经量产堆叠232层的3D NAND颗粒。

不过，受全球经济不景气影响，三大终端应用（服务器、笔记本电脑与智能手机）需求不见起色，厂商被迫降价清理库存等因素制约，2023年Q1全球 NAND 闪存的平均售价（ASP）下滑了 15%，这也直接导致了销售额的整体疲软。