据韩国媒体SEDaily的报道，英伟达正在与内存制造商SK海力士、美光、三星合作开发一种专用的系统级芯片高级内存模块（SOCAMM），该模块不仅体积紧凑，而且性能远高于现有的低功耗压缩式内存模块（LPCAMM）标准和传统DRAM。据报道，该模块最早可能在今年晚些时候实现量产。

据称SOCAMM拥有高达694个I/O端口，这一数字高于PC DRAM模块和LPCAMM，LPCAMM只有644个，而传统DRAM只有260个。由于I/O端口数量如此之高，SOCAMM被认为可以解决处理器与内存之间的数据瓶颈问题。

此外，SOCAMM是一种可拆卸的内存模块，这可能为未来的升级提供便利。由于其体积小巧，制造商可以在模块上集成最优数量的DRAM，从而确保高容量。

目前，关于SOCAMM内存标准的细节还相当有限，这个项目主要由英伟达及其合作伙伴主导，在没有联合电子设备工程委员会（JEDEC）参与的情况下开发这一标准。据推测，SOCAMM模块将被用于英伟达Project Digits这样的紧凑型AI超级计算机，在今年的CES展上黄仁勋展示了这个产品，将于5月开始上市。

与之相比，英特尔在Xeon 6平台则率先引入了JEDEC标准的下一代内存MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM）标准。该模块带宽两倍于现有产品，并保持包括阵脚、供电/散热在内的兼容性，不改变DRAM制程。SOCAMM本意是解决HBM高功耗、低容量、片上不可扩展等问题，如不能平衡成本、应用场景等市场因素，就难免成为NV“独家”。