据台湾媒体爆料：2020年底合肥长鑫存储的产能就有可能超过7万片晶圆/月，这意味着他们未来有望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂。此外，预计长鑫存储将在2021年推出17nm工艺DRAM芯片。

提到占据全球DRAM市场份额前几名的厂商，相信三星、SK 海力士以及美光大家都是有所耳闻的，从TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM内存芯片市场数据显示，这三大厂占据了全球市场94.6%的份额。排名第四的则是南亚科技，市场份额仅3.2%，大致DRAM产能大约在7.1万片/月。

从上述数据来看，如果长鑫存储产能将有大幅提升消息成真的话，极有可能挑战南亚科技目前地位成为全球第四大DRAM厂商。

为何长鑫存储被外界如此看好？就在今年7月初，安徽省发布的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

而目前国内已经实现量产的DRAM内存芯片的国产厂商只有长鑫存储，而且长鑫存储也正是位于安徽省会合肥的企业，显然，这份文件上所提出的内存技术攻关要求，也正是针对长鑫存储提出的。同时不难发现长鑫预计将于2021年完成17nm工艺DRAM芯片的研发，看来长鑫存储的进度正在进一步加快。

此前曝光的长鑫存储的路线图显示，长鑫存储还规划将采用10G3 （17nm工艺）发展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5产品，采用10G5工艺推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6产品，该技术是使用HKMG和气隙位线技术，并在未来导入使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻（EUV）工艺。

从长期影响来看，长鑫存储主要是填补国内DRAM的空白，有望突破韩国、美国企业在国际市场的垄断地位。此外，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目，是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目，目标是打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地。在当下相当严峻的中美关系下，长鑫存储的未来一定要走好。